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無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁場。電渦流技術不依賴于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點方...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業中被廣泛應用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。某種物質所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質的電阻率。電阻率與導體的長度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計算方法霍爾遷移率是Hall系數RH與電導...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數，其大小與材料的電...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統。它使用高頻CV測量分析系統，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進行測量和自動成圖。該系統采用汞探針設計，...

電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚...

我司憑借先進的技術和豐富的產品線，已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，主營非接觸方阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率...

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結構半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現單點測試，亦可以實現面掃描的測試功能，具有快速，無損，準確等優勢，可用于材料研發及工藝的監...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應原理進行檢測的方法。當載有交變電流的試驗線圈靠近導體工件時，會產生交變磁場，進而在工件中感生出密閉的環狀電流，即渦流。渦流的大小、相位及流動形式受到工件性質（如電導...

設備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導體材料，石墨烯，透明導電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。可實現單點測試，亦可以實現面掃描的測試功能，可用于材料研發及工藝的監測及質量控制